[发明专利]一种高亮度V型极化掺杂深紫外LED制备方法

摘要

本发明提供一种高亮度V型极化掺杂深紫外LED的制备方法，制备的深紫外LED结构包括衬底，AlN缓冲层，应力释放层，N型AlGaN层，AlGaN/AlGaN多量子阱有源区，Al组分呈V形渐变的P型AlGaN层。利用Al组分呈V形渐变的P型AlGaN层增加发光效率，同时用这种V形渐变的结构替代P型AlGaN电子阻挡层、P型AlGaN接触层和P型P‑GaN接触层，提高光提取效率。这种结构可以极大地提高P型层的空穴浓度，且从根本上避免P型接触层的吸光，制作工艺简单，可工业化生产。

主权项

1.一种高亮度V型极化掺杂深紫外LED制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.在衬底上，生长厚度为15～25nm的低温氮化铝缓冲层；S2.在低温氮化铝缓冲层上生长厚度为300～500nm的高温氮化铝缓冲层；S3.在高温氮化铝缓冲层上生长厚度为1～1.5um的组分渐变的N型AlGaN应力释放层；所述组分渐变的N型AlGaN为AlxGa1‑xN，其中x从0渐变到0.55；S4.在组分渐变的N型AlGaN应力释放层上生长厚度为1～1.5um的N型Al0.55Ga0.45N层；S5.在N型Al0.55Ga0.45N层上生长发光层；所述发光层为5个周期的Al0.4Ga0.6N/Al0.55Ga0.45N多量子阱有源区，其中Al0.4Ga0.6N阱层厚度为3nm，Al0.55Ga0.45N垒层厚度为10nm；S6.在发光层上生长总厚度为90～120nm的P型AlGaN层，P型掺杂浓度为2×1017～7×1017cm‑3；所述P型AlGaN层中Al组分呈V形渐变，每个V形厚度为10～30nm，Al组分沿生长方向渐变规律依次为Al0.7Ga0.3N～AlxGa1‑xN和AlxGa1‑xN～Al0.7Ga0.3N，x为0.4～0.7；或Al组分沿生长方向渐变规律依次为AlxGa1‑xN～Al0.7Ga0.3N和Al0.7Ga0.3N～AlxGa1‑xN，x为0.4～0.7。