[发明专利]光吸收材料以及使用该光吸收材料的钙钛矿型太阳能电池在审
| 申请号： | 201810110158.2 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108400245A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 横山智康;铃鹿理生;宫本佳子;内田隆介 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够提高钙钛矿型太阳能电池的转换效率的光吸收材料和太阳能电池。光吸收材料含有钙钛矿型化合物，该钙钛矿型化合物用组成式HC(NH2)2PbI3表示，具有钙钛矿型结构，而且在采用2维NMR的1H‑14N的HMQC法测得的固体1H‑NMR谱中，25℃下的7.2ppm的峰值强度为7.4ppm的峰值强度的60％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 光吸收材料 太阳能电池 钙钛矿型化合物 钙钛矿型 钙钛矿型结构 转换效率 组成式 | ||
【主权项】：
1.一种光吸收材料，其含有用组成式HC(NH2)2PbI3表示，具有钙钛矿型结构，而且在采用2维NMR的1H‑14N的HMQC法测得的固体1H‑NMR谱中，25℃下的7.2ppm的峰值强度为7.4ppm的峰值强度的60％以上的化合物。
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- 本发明涉及一种气致变色调控型半透明聚合物太阳能电池及其制备方法，以ITO导电玻璃为阴极、聚[(9,9‑二(3'‑(N,N‑二甲氨基)丙基)‑2,7‑芴)‑2,7‑(9,9‑二辛基芴)]（简称PFN）‑甲醇‑乙酸混合溶液为阴极缓冲层、聚合物混合溶液为有源层、WO3为阳极缓冲层、Ag为阳极、WO3/Pt为反应层。WO3作为阳极缓冲层，起到了收集空穴阻挡电子的作用，可有效改善有源层和电极的界面接触性能，提高空穴向阳极的传输能力，进而提高器件的短路电流密度和功率转化效率；WO3/Pt做为反应层，并将其与H2反应生成蓝色的钨青铜结构，通过改变器件的颜色，可有效协调光的透射率、增强光的吸收率。
- 一种钙钛矿太阳能组件及其制备方法-201910166097.6
- 徐敬超;张文君;石磊 - 杭州众能光电科技有限公司
- 2019-03-06 - 2019-06-14 - H01L51/44
- 本发明公开了一种钙钛矿太阳能组件及其制备方法，包括玻璃衬底层、透明导电薄膜层、第一接触层、钙钛矿吸光层、第二接触层、金属电极，一种钙钛矿太阳能组件的制备方法，包括如下步骤：步骤一：透明导电薄膜表面涂敷保护层；步骤二：透明导电薄膜层形成若干个狭缝；步骤三：玻璃衬底层也形成若干个狭缝；步骤四：清除残留保护层；步骤五：填埋金属栅线得到金属栅线镶嵌的透明导电玻璃衬底；步骤六：得到洁净的金属栅线镶嵌的透明导电玻璃衬底；步骤七：表面沉积第一接触层；步骤八：沉积钙钛矿吸光层；步骤九：沉积第二接触层；步骤十：在第二接触层上真空蒸镀Ag、Cu、Al、Ni、Ti中的至少一种，得到太阳能组件成品。本发明栅线填埋工艺简单且成本低廉，性能优良且重复性高。
- 基于一种供体聚合物和两种受体的三元混合物有机太阳能电池-201780063065.2
- 颜河;蒋奎 - 香港科技大学
- 2017-10-11 - 2019-06-14 - H01L51/44
- 本发明涉及一种有机太阳能电池，其包含光活化层，所述光活化层包含至少一种供体聚合物和两种非富勒烯分子受体。此外，本发明还涉及一种有机太阳能电池，其包含光活化层，所述光活化层包含一种供体聚合物、一种富勒烯受体以及一种非富勒烯分子受体。所述供体聚合物在溶液中显示出温度依赖性聚集(TDA)的性质，其中，当所述溶液由100℃冷却至室温时，所述聚合物溶液的吸收起点显示出至少80nm的红移；或当所述溶液由100℃冷却至0℃时，所述聚合物溶液的吸收起点显示出至少40nm的红移。
- 光电转换元件、使用该光电转换元件的太阳能电池以及光电转换元件的制造方法-201580021318.0
- 佐藤宽敬;小林克 - 富士胶片株式会社
- 2015-04-16 - 2019-06-14 - H01L51/44
- 本发明提供一种光电转换元件、太阳能电池以及光电转换元件的制造方法，所述光电转换元件具有在导电性支撑体上具有包含光吸收剂的感光层的第1电极及与第1电极对置的第2电极，光吸收剂包含具有钙钛矿型晶体结构的化合物，并在第1电极的表面具有选自以下述式(3)～(5)任意一个式表示的化合物中的至少1种化合物。式中，G1～G4表示选自由‑ORa、‑O‑Ya+、‑SRa、‑S‑Ya+、‑NRaRb及‑(NRaRbRc)+Ya‑构成的组中的基团或盐。Ra～Rc表示氢原子或取代基。Ya表示抗衡盐。L1表示烷基、环烷基等。J1及J3表示单键或连接基团。J2表示连接基团。p1及p2表示1以上的整数。环C表示芳香族烃环或芳香族杂环。Z表示杂原子或NR12。R12表示氢原子或取代基。m、n12及n13表示0以上的整数。R11表示取代基。n11及q表示1以上的整数。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
