[发明专利]垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法

摘要

本发明涉及垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法。制造垂直型半导体器件的方法包括以下步骤：在公共源极区上形成柱体结构，在柱体结构中层叠有导电层和数据储存材料；在包括柱体结构的公共源极区上形成栅绝缘层和栅电极材料；以及将栅电极材料去除至预定高度，以使栅电极材料在至少一个方向绝缘。或者，在每个柱体结构中层叠有导电层和第一绝缘层。所述方法还可包括：在公共源极区上形成第二绝缘层以掩埋在所述柱体结构之间，在包括栅电极材料的公共源极区上形成第三绝缘层以掩埋在柱体结构之间，将第三绝缘层平坦化以暴露出第一绝缘层的表面，以及去除第一绝缘层；将数据储存材料掩埋在去除了第一绝缘层的空间中。

主权项

1.一种制造垂直型半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在公共源极区上形成柱体结构，每个所述柱体结构中层叠有导电层和第一绝缘层；在包括所述柱体结构的公共源极区上形成栅绝缘层和栅电极材料；将所述栅电极材料去除至预定高度，以使栅电极材料在至少一个方向绝缘；在包括所述栅电极材料的公共源极区上形成第二绝缘层以掩埋在所述柱体结构之间，将所述第二绝缘层平坦化以暴露出所述第一绝缘层的表面，以及去除所述第一绝缘层；以及将数据储存材料掩埋在去除了所述第一绝缘层的空间中。