[发明专利]一种提高外部量子效率的LED芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810105967.4 申请日: 2018-02-02
公开(公告)号: CN108258093A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 刘珊珊;廖汉忠;陈顺利;丁逸圣 申请(专利权)人: 大连德豪光电科技有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/24;H01L33/22;H01L33/44;H01L33/00
代理公司: 广东朗乾律师事务所 44291 代理人: 杨焕军
地址: 116100 辽宁省大*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供一种提高外部量子效率的LED芯片,包括衬底,由衬底起自下至上依次层状叠加的设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层,在P型半导体层上形成电流阻挡层;P型半导体层上还形成有第一电流扩展层,第一电流扩展层覆盖及包围电流阻挡层;第一电流扩展层上形成有图案化膜层,所述图案化膜层包含按图案化设计间隔形成的图案化形貌膜,及在所述图案化形貌膜之间形成的用于增加有效出光面积的纳米颗粒;在所述图案化膜层上形成有第二电流扩展层;第二电流扩展层上还形成有保护层;通过图案化膜层改变入射角从而增加正向出光效率,且夹层处理方法保证在下游封装中仍能维持该功效;本发明还提供一种提高外部量子效率的LED芯片的制备方法。
搜索关键词: 电流扩展层 图案化膜层 外部量子效率 图案化 形貌 电流阻挡层 衬底 制备 有效出光面积 正向出光效率 层状叠加 夹层处理 纳米颗粒 保护层 发光层 入射角 封装 包围 覆盖 保证
【主权项】:
1.一种提高外部量子效率的LED芯片,包括衬底,由衬底起自下至上依次层状叠加的设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层,并在P型半导体层刻蚀形成N台阶,在P型半导体层上形成电流阻挡层;其特征在于:所述P型半导体层上还形成有第一电流扩展层,所述第一电流扩展层覆盖及包围电流阻挡层;所述第一电流扩展层上形成有图案化膜层,所述图案化膜层包含按图案化设计间隔形成的图案化形貌膜,及在所述图案化形貌膜之间形成的用于增加有效出光面积的纳米颗粒;在所述图案化膜层上形成有第二电流扩展层;所述第二电流扩展层上还形成有保护层。
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