[发明专利]屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法，在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体（HDP），并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理，利用高密度等离子体（HDP）层的淀积特点，使其填充具备特有形貌：沟槽内中间平坦，沟槽两侧呈尖峰，而后抛弃传统的刻蚀前的平坦化处理，例如化学机械抛光（CMP）进行截止，而是直接湿法刻蚀处理，同时得到顶部隔离层的去除和沟槽内隔离氧化层的目标深度，达到与常规工艺基本相同的工艺目标效果，大大降低了工艺成本及工艺时间，在半导体器件设计及制造领域具有广泛的应用前景。

主权项

1.一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：1)提供一衬底，于所述衬底的上表面形成外延层，于所述外延层中形成深沟槽，于所述深沟槽的内壁与所述外延层表面形成屏蔽氧化层，于所述深沟槽内填充屏蔽多晶硅，所述屏蔽多晶硅还覆盖位于所述外延层上方的所述屏蔽氧化层；2)减薄所述外延层上方的所述屏蔽多晶硅和所述屏蔽氧化层，所述外延层上方保留有所述屏蔽氧化层；3)以所述屏蔽氧化层为掩膜回刻刻蚀所述屏蔽多晶硅，以形成一刻蚀槽，所述刻蚀槽两侧显露所述深沟槽内的所述屏蔽氧化层；4)湿法刻蚀所述刻蚀槽两侧的所述屏蔽氧化层，同时使得所述屏蔽多晶硅的上方部分凸出于所述屏蔽氧化层；5)沉积隔离氧化层，所述隔离氧化层包含填充于所述深沟槽中的填充部以及覆盖于所述外延层上方的凸起部；6)湿法刻蚀回刻所述隔离氧化层，将所述填充部刻蚀至目标厚度的同时去除所述凸起部及位于所述外延层上的所述屏蔽氧化层；7)于所述深沟槽的内壁和所述隔离氧化层表面沉积栅氧化层，以形成栅极沟槽，在所述栅极沟槽中填充栅极多晶硅以形成栅极；以及8)于所述深沟槽两侧的所述外延层中形成体区，于所述体区中形成源极，于所述外延层上方形成上金属结构，于所述衬底下表面形成漏极金属层。