[发明专利]铜铟硫/硫化镉/二硫化钼纳米片光电极的制备及应用

摘要

本发明公开了一种铜铟硫/硫化镉/二硫化钼纳米片光电极的制备及应用，制备方法为先采用水热合成方法合成得到CuInS₂纳米片光电极，然后通过水浴沉积的方法构筑得到CuInS₂/CdS异质结光电极，再采用水热的方法将MoS₂负载到CuInS₂/CdS异质结光电极的表面，得到最终产物CuInS₂/CdS/MoS₂纳米片光电极。制备得到的CuInS₂/CdS/MoS₂纳米片可作为光电极光电还原对硝基苯胺。本发明的制备方法绿色、环保，适用于大规模生产，制备得到的产物在可见光照射下，不加入牺牲剂的条件下，加上一定的电压即可高效率的催化还原对硝基苯胺，制备对苯二胺，具有反应速度快，转化率高等优点，具有很好的使用价值和应用前景。

主权项

1.铜铟硫/硫化镉/二硫化钼纳米片光电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1采用水热合成方法合成得到CuInS₂纳米片光电极；S2通过水浴沉积的方法构筑得到CuInS₂/CdS异质结光电极；S3采用水热的方法将MoS₂负载到CuInS₂/CdS异质结光电极的表面，得到最终产物CuInS₂/CdS/MoS₂纳米片光电极：3.1)将四硫代钼酸铵加入DMF中超声溶解得到DMF溶液，然后将步骤S2中得到的CuInS₂/CdS异质结光电极放入所述DMF溶液中，然后往其中加入水合肼，并转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中；3.2)200℃条件下反应6小时，反应结束后，待反应釜冷却至室温，从中取出固体物，用无水乙醇和高纯水反复交替淋洗三次，60℃下烘干，得到CuInS₂/CdS/MoS₂纳米片光电极。