[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810093794.9 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108428462A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 岩濑贵司;松原谦 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C11/4094;G11C16/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置。根据一个实施例，一种半导体装置包括：预充电晶体管，被配置为向位线供应预充电电压；感测放大器，被配置为根据存储元件的汲取电流和参考电流之间的比较结果来改变输出信号的逻辑电平；钳位晶体管，设置在位线BL和感测放大器之间，以及；钳位电压输出晶体管，其中钳位电压输出晶体管的栅极连接到钳位晶体管的栅极，钳位电压输出晶体管的源极连接到其背栅，钳位电压输出晶体管的源极被供应预充电电压，钳位电压输出晶体管的漏极连接到其栅极，并且接地电压被供应给钳位晶体管的背栅。 | ||
| 搜索关键词： | 输出晶体管 钳位电压 半导体装置 钳位晶体管 感测放大器 预充电电压 背栅 预充电晶体管 参考电流 存储元件 汲取电流 接地电压 逻辑电平 输出信号 源极连接 栅极连接 在位线 漏极 配置 位线 源极 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：存储元件，具有根据要存储的数据的值而改变的电流汲取能力；位线，连接到所述存储元件的输出节点；预充电晶体管，所述预充电晶体管的源极连接到所述位线，所述预充电晶体管的漏极被供应预充电电压，并且所述预充电晶体管的栅极被供应预充电控制信号；钳位电压产生电路，包括钳位电压输出晶体管，所述钳位电压输出晶体管的源极连接到其背栅，该源极被供应所述预充电电压，所述钳位电压输出晶体管的漏极被供应恒定电流，所述钳位电压输出晶体管的栅极连接到其漏极，并且所述钳位电压产生电路被配置为输出在所述栅极中产生的电压作为钳位电压；钳位晶体管，所述钳位晶体管的栅极被供应所述钳位电压，所述钳位晶体管的源极连接到所述位线，并且所述钳位晶体管的背栅连接到接地线；以及感测放大器，连接到所述钳位晶体管的漏极，所述感测放大器被配置为将具有预定电流值的参考电流与由所述存储元件通过所述钳位晶体管汲取的存储器电流进行比较，并输出输出信号。
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