[发明专利]沟槽金氧半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽金氧半导体元件及其制造方法，其中上述沟槽金氧半导体元件包括基底、晶体管晶胞与终端区结构。基底具有位于有源区中的第一沟槽及位于终端区中的第二沟槽。晶体管晶胞位于有源区中。终端区结构位于终端区中。终端区结构包括第三电极、第一绝缘层、第一导电型的多个第一掺杂区与第二导电型的多个第二掺杂区。第三电极位于第二沟槽中，且包括延伸至基底的顶面上的延伸部。第一绝缘层包括位于第二沟槽中的第三电极与基底之间的部分及位于延伸部与基底的顶面之间的另一部分。第一导电型的第一掺杂区与第二导电型的第二掺杂区交互配置于延伸部中，而形成多个PN接面。上述沟槽金氧半导体元件可有效地减少处理数并降低制造成本。

主权项

1.一种沟槽金氧半导体元件，其特征在于，包括：基底，定义有有源区及终端区，且具有位于所述有源区中的第一沟槽及位于所述终端区中的第二沟槽；晶体管晶胞，位于所述有源区中，且包括：第一电极，位于所述第一沟槽中；以及第二电极，位于所述第一沟槽中，且位于所述第一电极上，其中所述基底、所述第一电极与所述第二电极彼此电性隔离；以及终端区结构，位于所述终端区中，且包括：第三电极，位于所述第二沟槽中，且包括延伸至所述基底的顶面上的延伸部；第一绝缘层，包括位于所述第二沟槽中的所述第三电极与所述基底之间的部分，及位于所述延伸部与所述基底的顶面之间的另一部分；以及第一导电型的多个第一掺杂区与第二导电型的多个第二掺杂区，交互配置于所述延伸部中，而形成多个PN接面。