[发明专利]具有非化学计量金属硫化物层的CIGS基光伏电池及制造该光伏电池的方法和装置在审
| 申请号： | 201810082938.0 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108376726A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 鲁因·法尔希;乔迪·扎帕拉克;蒂莫西·内格尔 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0749;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 贾博雍;吴兰柱 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制造光伏器件的方法，包括：在衬底上形成包括铜、铟、镓和硫族元素的p型化合物半导体材料层；以及通过使用至少一个含金属和硫的溅射靶的溅射过程，在所述p型化合物半导体材料层上形成n型金属硫化物层，所述溅射靶具有非化学计量的成分，其中金属与硫原子比率大于1。 | ||
| 搜索关键词： | 非化学计量 材料层 溅射靶 金属硫化物层 金属 方法和装置 光伏电池 光伏器件 硫化物层 硫族元素 硫原子 衬底 基光 溅射 制造 电池 | ||
【主权项】：
1.一种制造光伏器件的方法，包括：在衬底上形成包括铜、铟、镓和硫族元素的p型化合物半导体材料层；以及通过使用至少一个含金属和硫的溅射靶的溅射过程，在所述p型化合物半导体材料层上形成n型金属硫化物层，所述溅射靶具有非化学计量的成分，其中金属与硫原子比率大于1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，未经北京铂阳顶荣光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810082938.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
