[发明专利]化学计量比铌酸锂单晶的制备方法无效
| 申请号： | 02155041.7 | 申请日： | 2002-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1428464A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 徐军;赵广军;王海丽;杭寅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B19/02 | 分类号： | C30B19/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种化学计量比铌酸锂单晶的制备方法，其特征在于它是采用电阻加热液相外延炉，在低于铌酸锂(以下简称LN)熔点(1260±15℃)和居里点(1150±10℃)的结晶温度下，将非化学计量比LN单晶衬底从含有助溶剂K2O的LN饱和溶液中高速旋转并缓慢提拉的过程中，在非化学计量比LN单晶衬底上生长化学计量比的LN单晶。采用本发明方法可在非化学计量比LN单晶上生长出一定厚度的化学计量比LN单晶，无需极化即为单畴晶体，具有较高的光学均匀性和质量，可以满足日益发展的光电技术的市场需求。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 计量 铌酸锂单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学计量比铌酸锂单晶的制备方法，其特征在于它是采用电阻加热液相外延炉，在低于铌酸锂(以下简称LN)熔点(1260±15℃)和居里点(1150±10℃)的结晶温度下，将非化学计量比LN单晶衬底从含有助溶剂K2O的LN饱和溶液中高速旋转并缓慢提拉的过程中，在非化学计量比LN单晶衬底上生长化学计量比的LN单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02155041.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：预浸渍复合材料及生产方法
- 下一篇：锌覆盖剂
