[发明专利]一种基于界面诱导生长的金属纳米结构阵列的制备方法有效
申请号: | 201810080098.4 | 申请日: | 2018-01-27 |
公开(公告)号: | CN108417475B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 左则文;闻壹兵 | 申请(专利权)人: | 安徽师范大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241002 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于界面诱导生长的金属纳米结构阵列的制备方法,包括如下步骤:一、衬底清洗;二、模板转移,将超薄多孔氧化铝模板转移到清洗干净的衬底上;三、粘附力调节,将步骤二得到的样品静置数小时,使模板与衬底间的粘附力部分驰豫,或通过低温退火加强模板与衬底的粘附力;四、金属沉积,采用物理气相沉积方法在由步骤三得到的样品表面沉积金属;五、模板剥离,沉积完成后,利用胶带将模板剥离,即在衬底表面留下有序金属纳米结构阵列:粘附力驰豫的情形将得到有序纳米孔阵列,粘附力加强的情形将得到有序纳米环阵列。本发明方法工艺简单,成本低廉,可扩展到晶圆尺度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 界面 诱导 生长 金属 纳米 结构 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于界面诱导生长的金属纳米结构阵列的制备方法,其特征在于:该方法利用界面诱导金属成核与生长,所述方法按如下步骤进行:(1)衬底清洗,将硅片或石英片等衬底浸入浓硫酸与双氧水的混合溶液中加热至90℃,洗清60分钟,再分别在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗15分钟后,用氮气吹干;(2)模板转移,将PMMA支撑的超薄多孔氧化铝模板置于清洗干净的衬底表面,再在丙酮溶液中去除PMMA层,将超薄氧化铝模板转移到衬底上;(3)粘附力调节,将表面带有氧化铝模板的衬底静置数小时以使模板与衬底间的粘附力部分驰豫,或通过低温退火加强模板与衬底的粘附力;(4)金属沉积,将表面带有氧化铝模板的衬底转移至沉积腔内,模板朝向金属源,采用物理气相沉积方法沉积金属;(5)模板剥离,沉积完成后,利用胶带将模板剥离,则在衬底表面留下金属纳米孔阵列或纳米环阵列,取决于模板与衬底间的粘附力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽师范大学,未经安徽师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810080098.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造