[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201810077979.0 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108365070B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 林羿宏;陈昭兴;王佳琨;曾咨耀;余仁杰;陈冠吾 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/02;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一通孔穿过第二半导体层和活性层以露出第一半导体层的一表面；一第一电极形成在通孔中和第二半导体层上；一第二电极形成在第二半导体层上；以及一绝缘结构覆盖第一电极、第二电极和半导体结构，并且绝缘结构包括一第一开口以露出第一电极和一第二开口以露出第二电极，其中第一电极和第二电极分别包括一金属层以与绝缘结构相接触，金属层包括一材料具有大于1500达因/厘米(dyne/cm)的表面张力值和大于0.3伏(V)的标准还原电位。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；通孔，穿过该第二半导体层和该活性层以露出该第一半导体层的一表面；第一电极，形成在该通孔中和该第二半导体层上；第二电极，形成在该第二半导体层上；以及绝缘结构，覆盖该第一电极、该第二电极和该半导体结构，并且该绝缘结构包括第一开口以露出该第一电极和一第二开口以露出该第二电极，其中该第一电极和该第二电极分别包括金属层以与该绝缘结构相接触，该金属层包括一材料具有大于1500达因/厘米(dyne/cm)的表面张力值和大于0.3伏(V)的标准还原电位。
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