[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 201810077979.0 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN108365070B 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 林羿宏;陈昭兴;王佳琨;曾咨耀;余仁杰;陈冠吾 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/02;H01L33/36
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【说明书】:

发明公开一种发光元件,包含一半导体结构,其包含一第一半导体层,一第二半导体层,及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间;一通孔穿过第二半导体层和活性层以露出第一半导体层的一表面;一第一电极形成在通孔中和第二半导体层上;一第二电极形成在第二半导体层上;以及一绝缘结构覆盖第一电极、第二电极和半导体结构,并且绝缘结构包括一第一开口以露出第一电极和一第二开口以露出第二电极,其中第一电极和第二电极分别包括一金属层以与绝缘结构相接触,金属层包括一材料具有大于1500达因/厘米(dyne/cm)的表面张力值和大于0.3伏(V)的标准还原电位。

技术领域

本发明涉及一种发光元件的一结构,且特别是涉及一种包含一半导体结构及一焊垫位于半导体结构上的发光元件。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)为固态半导体发光元件,其优点为功耗低,产生的热能低,工作寿命长,防震,体积小,反应速度快和具有良好的光电特性,例如稳定的发光波长。因此发光二极管被广泛应用于家用电器,设备指示灯,及光电产品等。

发明内容

本发明提供一种发光元件,包含一半导体结构,其包含一第一半导体层,一第二半导体层,及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间;一通孔穿过第二半导体层和活性层以露出第一半导体层的一表面;一第一电极形成在通孔中和/或第二半导体层上;一第二电极形成在第二半导体层上;以及一绝缘结构覆盖第一电极、第二电极和半导体结构,并且绝缘结构包括一第一开口以露出第一电极和一第二开口以露出第二电极,其中第一电极和第二电极分别包括一金属层以与绝缘结构相接触,金属层包括一材料具有大于1500达因/厘米(dyne/cm)的表面张力值和大于0.3伏(V)的标准还原电位。

一种发光元件包含一半导体结构,其包含一第一半导体层,一第二半导体层,及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间;一通孔穿过第二半导体层和活性层以露出第一半导体层的一表面;一第一电极形成在通孔中和/或第二半导体层上;一第二电极形成在第二半导体层上;以及一绝缘结构覆盖第一电极、第二电极和半导体结构,并且绝缘结构包括一第一开口以露出第一电极和一第二开口以露出第二电极,其中第一电极和第二电极分别包括一金属层以与绝缘结构相接触,金属层包括一材料具有一杨氏模量值(Young'smodulus)大于100GPa。

本发明还提供一种发光元件,包含一半导体结构,其包含一第一半导体层,一第二半导体层,及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间;一通孔穿过第二半导体层和活性层以露出第一半导体层的一表面;一第一电极形成在通孔中和第二半导体层上;一第二电极形成在第二半导体层上;一绝缘结构覆盖第一电极、第二电极和半导体结构,并且绝缘结构包括一第一开口以露出第一电极和一第二开口以露出第二电极;一第一薄焊垫形成在第一开口中,第一薄焊垫具有一厚度小于绝缘结构的一厚度;以及一第二薄焊垫形成在第二开口中,第二薄焊垫具有一厚度小于绝缘结构的厚度。

本发明另提供一种发光元件,包含一半导体结构,其包含一第一半导体层,一第二半导体层,及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间;一通孔穿过第二半导体层和活性层以露出第一半导体层的一表面;一第一电极形成在通孔中和/或第二半导体层上;一第二电极形成在第二半导体层上;以及一绝缘结构覆盖第一电极、第二电极和半导体结构,并且绝缘结构包括一第一开口以露出第一电极和一第二开口以露出第二电极,其中第一电极和第二电极相隔一距离小于50微米(μm)。

本发明再提供一种发光元件,包含一半导体结构,其包含一第一半导体层,一第二半导体层,及一活性层包含一发光面积,位于第一半导体层和第二半导体层之间;一开口形成在半导体结构上,并露出第一半导体层的一表面;一第一电极形成在开口中;一第二电极形成在第二半导体层上;以及一绝缘结构覆盖第一电极、第二电极和半导体结构,并且绝缘结构包括一第一开口以露出第一电极和一第二开口以露出第二电极,其中第一电极和第二电极占据发光元件的发光面积约10~20%。

附图说明

图1为本发明的一实施例中所揭示的发光元件1,1a的上视图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810077979.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top