[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包含：

半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；

通孔，穿过该第二半导体层和该活性层以露出该第一半导体层的一表面；

第一电极，形成在该通孔中；

第二电极，形成在该第二半导体层上；以及

绝缘结构，覆盖该第一电极、该第二电极和该半导体结构，并且该绝缘结构包括第一开口以露出该第一电极和一第二开口以露出该第二电极，在该发光元件的一上视图中，该第二开口对应该第二电极的轮廓形成；

第一薄焊垫，形成在该第一开口中，该第一薄焊垫具有一厚度小于该绝缘结构的一厚度；

第二薄焊垫，形成在该第二开口中，该第二薄焊垫具有一厚度小于该绝缘结构的一厚度；

其中该第一电极和该第二电极分别包括金属层以与该绝缘结构相接触，该金属层包括一材料具有大于1500达因/厘米(dyne/cm)的表面张力值和大于0.3伏(V)的标准还原电位。

2.一种发光元件，其特征在于，包含：

半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；

通孔，穿过该第二半导体层和该活性层以露出该第一半导体层的一表面；

第一电极，形成在该通孔中；

第二电极，形成在该第二半导体层上；

绝缘结构，覆盖该第一电极、该第二电极和该半导体结构，并且该绝缘结构包括一第一开口以露出该第一电极和一第二开口以露出该第二电极，在该发光元件的一上视图中，该第二开口对应该第二电极的轮廓形成；

第一薄焊垫，形成在该第一开口中，该第一薄焊垫具有一厚度小于该绝缘结构的一厚度；以及

第二薄焊垫，形成在该第二开口中，该第二薄焊垫具有一厚度小于该绝缘结构的一厚度。

3.一种发光元件，其特征在于，包含：

半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；

环绕部，露出该第一半导体层，且该环绕部位于该半导体结构的外围，并环绕该半导体结构的该外围；

通孔，穿过该第二半导体层和该活性层以露出该第一半导体层的一表面；

第一电极，形成在该通孔中；

第二电极，形成在该第二半导体层上；

绝缘结构，覆盖该第一电极、该第二电极和该半导体结构，并且该绝缘结构包括第一开口以露出该第一电极和第二开口以露出该第二电极，在该发光元件的一上视图中，该第二开口对应与该第二电极的轮廓形成；

第一薄焊垫，形成在该第一开口中，该第一薄焊垫具有一厚度小于该绝缘结构的一厚度；以及

第二薄焊垫，形成在该第二开口中，该第二薄焊垫具有一厚度小于该绝缘结构的一厚度；

其中该第一电极和该第二电极相隔一距离小于50微米。

4.如权利要求1、2或3所述的发光元件，其中自该发光元件的一上视图观之，该第二电极为该第一电极所环绕。

5.如权利要求1或2所述的发光元件，其中该半导体结构还包含环绕部，露出该第一半导体层，且该环绕部位于该半导体结构的外围，并环绕该半导体结构的该外围。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极和该第二电极占据该发光元件的一发光面积约10～20％。

7.如权利要求1、2或3所述的发光元件，还包含第二绝缘结构，位于该第二电极的下方，其中该第二绝缘结构包含多个侧壁为该第二电极所包覆。

8.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一薄焊垫或该第二薄焊垫的一整体是形成于该第一开口或该第二开口之内。

9.如权利要求1或2所述的发光元件，其中该第一电极和该第二电极相隔一距离小于50微米。