[发明专利]一种热电分流垂直结构LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810076710.0 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108281540B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种热电分流垂直结构LED芯片及其制作方法，热电分流垂直结构LED芯片包括：衬底；位于衬底上的钝化层；位于钝化层上的LED外延结构；第一电极与LED外延结构朝向钝化层的表面欧姆接触，且位于LED外延结构的第二区域，第一电极与衬底之间绝缘；第二电极，第二电极与LED外延结构背离钝化层的表面欧姆接触。本发明中在芯片的衬底和LED外延结构之间插入一层钝化层，且将第一电极与衬底分开设置，从而使得衬底中不再通过电流，仅用于散热，也即将LED芯片的散热路径和电流路径分开为独立的两个路径，以便于衬底对热量进行散发，从而降低了LED器件的可靠性和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热电 分流 垂直 结构 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种热电分流垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的钝化层；位于所述钝化层上的LED外延结构，其中，所述LED外延结构在其所在平面内包括第一区域和第二区域，所述衬底和所述钝化层在所述LED外延结构所在平面内的投影与所述第一区域重合；第一电极，所述第一电极与所述LED外延结构朝向所述钝化层的表面欧姆接触，且位于所述LED外延结构的第二区域，所述第一电极与所述衬底之间绝缘；第二电极，所述第二电极与所述LED外延结构背离所述钝化层的表面欧姆接触。
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