[发明专利]一种热电分流垂直结构LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种热电分流垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底为导电衬底；

位于所述衬底上的钝化层；

位于所述钝化层上的LED外延结构，其中，所述LED外延结构在其所在平面内包括第一区域和第二区域，所述衬底和所述钝化层在所述LED外延结构所在平面内的投影与所述第一区域重合；

第一电极，所述第一电极与所述LED外延结构朝向所述钝化层的表面欧姆接触，且位于所述LED外延结构的第二区域，所述第一电极与所述衬底之间采用空气绝缘或固体物质绝缘；

第二电极，所述第二电极与所述LED外延结构背离所述钝化层的表面欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的热电分流垂直结构LED芯片，其特征在于，所述衬底位于所述LED外延结构的中心区域，所述第一电极围绕所述衬底。

3.根据权利要求1所述的热电分流垂直结构LED芯片，其特征在于，所述衬底位于所述LED外延结构的中心区域，所述第一电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极与所述第二子电极分别位于所述衬底的相对两侧，且所述第一子电极和所述第二子电极电性连接。

4.根据权利要求1所述的热电分流垂直结构LED芯片，其特征在于，所述衬底和所述第一电极并排设置在所述LED外延结构上。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的热电分流垂直结构LED芯片，其特征在于，所述衬底的面积大于所述第一电极的面积。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的热电分流垂直结构LED芯片，其特征在于，所述热电分流垂直结构LED芯片为倒装结构。

7.一种热电分流垂直结构LED芯片制作方法，其特征在于，用于制作形成权利要求1-6任意一项所述的热电分流垂直结构LED芯片，所述热电分流垂直结构LED芯片制作方法包括：

提供第一衬底和第二衬底；

在所述第一衬底上形成LED外延结构，所述LED外延结构在其所在平面内包括第一区域和第二区域；

在所述第二衬底上形成钝化层；

将所述钝化层与所述LED外延结构键合；

去除所述第一衬底，以及所述第二区域对应的所述第二衬底和所述钝化层；

在所述LED外延结构朝向所述钝化层表面的第二区域形成第一电极；

在所述LED外延结构背离所述钝化层表面形成第二电极。

8.根据权利要求7所述的热电分流垂直结构LED芯片制作方法，其特征在于，所述去除所述第一衬底，以及所述第二区域对应的所述第二衬底和所述钝化层，具体包括：

采用剥离工艺去除所述第一衬底；

采用刻蚀工艺去除所述第二区域对应的所述第二衬底和所述钝化层。

9.根据权利要求8所述的热电分流垂直结构LED芯片制作方法，其特征在于，在所述采用刻蚀工艺去除所述第二区域对应的所述第二衬底和所述钝化层之前，还包括：

切割所述第二区域对应的所述第二衬底和所述钝化层，形成切割道；

对所述切割道进行刻蚀。