[发明专利]一种热电分流垂直结构LED芯片及其制作方法

说明书

本申请提供一种热电分流垂直结构LED芯片及其制作方法，热电分流垂直结构LED芯片包括：衬底；位于衬底上的钝化层；位于钝化层上的LED外延结构；第一电极与LED外延结构朝向钝化层的表面欧姆接触，且位于LED外延结构的第二区域，第一电极与衬底之间绝缘；第二电极，第二电极与LED外延结构背离钝化层的表面欧姆接触。本发明中在芯片的衬底和LED外延结构之间插入一层钝化层，且将第一电极与衬底分开设置，从而使得衬底中不再通过电流，仅用于散热，也即将LED芯片的散热路径和电流路径分开为独立的两个路径，以便于衬底对热量进行散发，从而降低了LED器件的可靠性和寿命。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种热电分流垂直结构LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED是一种节能光源，随着发光二极管(LED)发光效率的不断提高，LED能够取代白炽灯的地位。LED已经广泛应用于手机背光、液晶显示屏背光、信号灯、建筑景观、特殊照明等领域，并日益向普通照明、汽车照明等领域拓展。

如图1所示，为现有技术中一种垂直结构LED芯片，所述LED芯片通常包括衬底01、位于衬底01上的LED外延结构，所述LED外延结构包括N型半导体层02、多量子阱层03、P型半导体层04、第一电极05和第二电极06，其中第一电极05与N型半导体层02欧姆接触，第二电极06与P型半导体层04欧姆接触，通过在第一电极和第二电极之间加电压，使得LED发光。

随着LED照明产品功率与光效的提高，LED对器件可靠性与寿命的要求也越来越高。但是现有技术中垂直结构LED芯片的散热效率较低，造成LED器件的可靠性较低，寿命较短。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种热电分流垂直结构LED芯片及其制作方法，以解决现有技术中垂直结构LED芯片的散热效率较低，造成LED器件的可靠性较低，寿命较短的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种热电分流垂直结构LED芯片，包括：

衬底；

位于所述衬底上的钝化层；

位于所述钝化层上的LED外延结构，其中，所述LED外延结构在其所在平面内包括第一区域和第二区域，所述衬底和所述钝化层在所述LED外延结构所在平面内的投影与所述第一区域重合；

第一电极，所述第一电极与所述LED外延结构朝向所述钝化层的表面欧姆接触，且位于所述LED外延结构的第二区域，所述第一电极与所述衬底之间绝缘；

第二电极，所述第二电极与所述LED外延结构背离所述钝化层的表面欧姆接触。

优选地，所述衬底位于所述LED外延结构的中心区域，所述第一电极围绕所述衬底。

优选地，所述衬底位于所述LED外延结构的中心区域，所述第一电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极与所述第二子电极分别位于所述衬底的相对两侧，且所述第一子电极和所述第二子电极电性连接。

优选地，所述衬底和所述第一电极并排设置在所述LED外延结构上。

优选地，所述衬底的面积大于所述第一电极的面积。

优选地，所述热电分流垂直结构LED芯片为倒装结构。

本发明还提供一种热电分流垂直结构LED芯片制作方法，用于制作形成上面任意一项所述的热电分流垂直结构LED芯片，所述热电分流垂直结构LED芯片制作方法包括：

提供第一衬底和第二衬底；

在所述第一衬底上形成LED外延结构，所述LED外延结构在其所在平面内包括第一区域和第二区域；

在所述第二衬底上形成钝化层；