[发明专利]一种多层单晶硅薄膜的制备方法

摘要

一种多层单晶硅薄膜的制备方法，依次按照下述要求制备多层单晶硅薄膜：①首先，取两片表面洁净的单晶硅片采用等离子激活技术处理硅片表面后，进行预键合；②将键合后的硅片，传送至在200‑300℃的温度退火炉内进行6‑10小时的退火，既防止了过渡区的产生又将此两片硅片完成彻底键合，③将退火后的键合片进行减薄处理以达到需求的目标厚度；④将减薄处理后的SOI片，重新按照一片单晶硅片与另一片单晶硅片再次进行①‑③的操作，得到多层单晶硅薄膜。本发明采用等离子激活技术处理过的硅片键合时预键合力大，退火后键合效果优良；各层界面无明显电阻过渡区；可以对各层单晶硅的厚度进行有效控制；其综合技术效果良好；具有较为巨大的经济价值和社会价值。

主权项

1.一种多层单晶硅薄膜的制备方法，其特征在于：依次按照下述要求制备多层单晶硅薄膜：①首先，取两片硅片Si‑1，Si‑2进行常规湿法清洗清洁表面，再在真空度＜1Torr的真空条件下采用等离子激活技术对表面进行5s‑20s的处理以增强键合时预键合力，进行预键合；②将完成预键合的硅片，从室温以5‑10℃/min的速率升至200‑300℃的恒定温度，在此温度下维持6‑10小时退火；③对此键合片通过粗磨+精磨+抛光的处理方式对Si‑2进行厚度上的减薄达到所需厚度要求；要求顶层Si‑2剩余2‑100um；④将步骤③得到的SOI硅片视为整体Si‑1，取一片新硅片Si‑3视为Si‑2重复步骤①‑③的操作，得到Si‑1/Si‑2/Si‑3的多层SOI硅片；⑤重复步骤④操作，得到所需层数的多层SOI硅片(Si‑1/Si‑2/…/Si‑n)。