[发明专利]一种均匀性厚膜SOI硅片的制备方法

摘要

一种均匀性厚膜SOI硅片的制备方法，步骤如下：①选取SOI硅片；②边缘处理；③去除表面损伤层，得到低缺陷的TMSOI；④湿法清洗；⑤HCl化学刻蚀，获得高质量薄膜SOI硅片；⑥沉积所要的薄膜；⑦冷却。相对于现有技术而言，本发明中的SOI均匀性3％，具有较好均匀性，同时可以去除TM‑SOI工艺后SOI顶层硅表面的损伤层及粗糙现象，制备高质量的厚膜SOI，其制备过程较为简单，技术效果优良。其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。

主权项

1.一种均匀性厚膜SOI硅片的制备方法，其特征在于：依次按照下述要求进行操作：①选取TMSOI形成的SOI硅片；②除净TMSOI的边缘以确保后续的工艺生长为单晶Si；③将表面损伤层全部去除，得到低缺陷的TMSOI；④使用湿法清洗对薄膜SOI的表层置换以去除表面杂质；⑤通过HCl化学刻蚀除去表面缺陷，同时减小其粗糙度，改善均匀性，获得高质量薄膜SOI硅片；具体步骤如下：a、将TMSOI硅片装入密封反应室；b、反应室中通入氢气，1000～1200℃下加热10～60秒，原位去除硅片表面自然氧化层及其杂质；其中氢气流量为10～100升/分钟；c、反应室通入无水HCl与氢气的混合气氛，刻蚀其表面的硅层；d、关闭无水HCL，反应室中继续通入氢气，除去反应室中的杂质及残余HCl后，冷却至沉积温度；⑥通入氢气和硅沉积化学源以及掺杂源的混合气氛，沉积所要的薄膜；⑦关闭硅沉积化学源以及掺杂源的混合气氛，持续吹入氢气去除硅淀积化学源和掺杂源后，冷却；得到顶层硅膜厚为1‑20μm且均匀性良好的SOI硅片。