[发明专利]一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法

摘要

本发明公开了一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法，包括以下步骤：(1)在10～30℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀3～5min；所述第一腐蚀液为HF、HNO₃和去离子水的混合液；(2)在0～5℃下，将步骤(1)中腐蚀后的硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀1～9min；所述第二腐蚀液为水相、油相和乳化剂的混合液；所述水相为HF、HNO₃和去离子水的混合液；所述油相为甲苯，所述乳化剂为吐温；(3)在10～30℃下，将步骤(2)中腐蚀后的硅片浸没于碱溶液中进行刻蚀0.5～5min，清洗、干燥，即得。本发明制得的绒面具有较低的反射率和较高的少子寿命。

主权项

1.一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）在10~30℃下，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀3~5min；/n所述第一腐蚀液为HF、HNO₃和去离子水的混合液；/n（2）在0~5℃下，将步骤（1）中腐蚀后的硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀3~7min；/n所述第二腐蚀液为水相、油相和乳化剂的混合液；以体积比计，水相：油相=4~6:1；(水相+油相)：乳化剂=4~6:1；/n所述水相为质量浓度为40%的HF、质量浓度为65%的HNO₃和去离子水的混合液，以体积比计，HF：HNO₃=1:1~3，（HF+HNO₃）：去离子水=1~5:1；所述油相为甲苯，所述乳化剂为吐温；/n（3）在10~30℃下，将步骤（2）中腐蚀后的硅片浸没于碱溶液中进行刻蚀0.5~5min，清洗、干燥，即得。/n