[发明专利]一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法有效
申请号: | 201810075313.1 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN108269884B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 汪雷;刘友博;蔡辉;王淑娴;李利凯;杨德仁;汤庆文;张坤;郭庆;崔灿;赵红喜 | 申请(专利权)人: | 浙江大学;蚌埠产品质量监督检验研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 |
代理公司: | 33224 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 胡红娟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 310013 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 腐蚀液 浸没 混合液 线切割 腐蚀 多晶硅太阳电池 去离子水 乳化剂 硅片 制备 清洗 多晶硅片 少子寿命 反射率 碱溶液 甲苯 刻蚀 绒面 吐温 | ||
1.一种金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在10~30℃下,将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀液中腐蚀3~5min;
所述第一腐蚀液为HF、HNO3和去离子水的混合液;
(2)在0~5℃下,将步骤(1)中腐蚀后的硅片浸没于第二腐蚀液中腐蚀3~7min;
所述第二腐蚀液为水相、油相和乳化剂的混合液;以体积比计,水相:油相=4~6:1;(水相+油相):乳化剂=4~6:1;
所述水相为质量浓度为40%的HF、质量浓度为65%的HNO3和去离子水的混合液,以体积比计,HF:HNO3=1:1~3,(HF+HNO3):去离子水=1~5:1;所述油相为甲苯,所述乳化剂为吐温;
(3)在10~30℃下,将步骤(2)中腐蚀后的硅片浸没于碱溶液中进行刻蚀0.5~5min,清洗、干燥,即得。
2.根据权利要求1所述的金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法,其特征在于,所述第一腐蚀液为质量浓度为40%的HF、质量浓度为65%的HNO3和去离子水的混合液,以体积比计,HF:HNO3:去离子水=1~2:1:1~5。
3.根据权利要求2所述的金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法,其特征在于,第一腐蚀液中,以体积比计,HF:HNO3:去离子水=2:1:2.5~3.5。
4.根据权利要求1所述的金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的清洗为:将金刚线切割多晶硅片放入乙醇中超声清洗后,再投入RCA溶液中进行清洗。
5.根据权利要求1所述的金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法,其特征在于,所述第二腐蚀液中,以体积比计,水相:油相=4:1;(水相+油相):乳化剂=4~6:1;
所述水相为质量浓度为40%的HF、质量浓度为65%的HNO3和去离子水的混合液,以体积比计,HF:HNO3=1:2~3,(HF+HNO3):去离子水=2~5:1;
所述油相为甲苯,所述乳化剂为吐温。
6.根据权利要求5所述的金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法,其特征在于,所述第二腐蚀液中,以体积比计,水相:油相=4:1;(水相+油相):乳化剂=6:1;
所述水相为质量浓度为40%的HF、质量浓度为65%的HNO3和去离子水的混合液,以体积比计,HF:HNO3=1:2,(HF+HNO3):去离子水=4~5:1;
所述油相为甲苯,所述乳化剂为吐温。
7.根据权利要求1所述的金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,腐蚀时间为3~5min。
8.根据权利要求1所述的金刚线切割多晶硅太阳电池绒面的制备方法,其特征在于,所述的碱溶液为质量百分比浓度为1~3%的氢氧化钠水溶液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的