[发明专利]一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法有效
| 申请号： | 201810068334.0 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108217730B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张学习;贾政刚;钱明芳 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;H01M4/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张金珠 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼薄层材料的技术领域。本发明要解决现有水热合成二硫化钼纳米片方法存在大量杂质、二硫化钼层间距较小等技术问题。本发明的方法：一、将钼酸铵粉末和硫脲粉末溶解于去离子水中，磁力搅拌；二、然后滴加氨水调节pH值至9～10，再转移到聚四氟乙烯内衬的反应器中，密封；三、然后置于不锈钢高压釜内，在145℃～185℃条件下反应20h～28h，冷却至室温，得到黑色粉末；四、然后分散于氨水中，离心；五、重复步骤四的操作至少3次；六、然后超声分散在无水乙醇中，再离心；七、重复步骤六的操作至少3次；八、预冻后真空干燥。本发明可作为锂离子电池高性能的负极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 条件 下水 合成 二硫化钼 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法，其特征在于所述方法是按下述步骤进行的：步骤一、将纯度不小于99％(质量)的钼酸铵粉末和纯度不小于99％(质量)的硫脲粉末溶解于去离子水中，磁力搅拌直至形成均一稳定的黑色溶液；步骤二、然后滴加氨水调节pH值至9～10，再转移到聚四氟乙烯内衬的反应器中，密封；步骤三、然后置于不锈钢高压釜内，在145℃～185℃条件下反应20h～28h，冷却至室温，得到黑色粉末；步骤四、将步骤三获得的黑色粉末分散于氨水中，离心；步骤五、重复步骤四的操作至少3次；步骤六、然后分散于无水乙醇，离心；步骤七、重复步骤六的操作至少3次；步骤八、然后预冻，之后真空干燥，得到二硫化钼纳米片。
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