[发明专利]一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法

权利要求书

1.一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法，其特征在于所述方法是按下述步骤进行的：

步骤一、将质量纯度不小于99％的钼酸铵粉末和质量纯度不小于99％的硫脲粉末溶解于去离子水中，磁力搅拌直至形成均一稳定的黑色溶液；

步骤二、然后滴加氨水调节pH值至9～10，再转移到聚四氟乙烯内衬的反应器中，密封；

步骤三、然后置于不锈钢高压釜内，在165℃条件下反应24h，冷却至室温，得到黑色粉末；

步骤四、将步骤三获得的黑色粉末分散于氨水中，离心；

步骤五、重复步骤四的操作至少3次；

步骤六、然后分散于无水乙醇，离心；

步骤七、重复步骤六的操作至少3次；

步骤八、然后预冻，之后真空干燥，得到二硫化钼纳米片；

其中，步骤一中将0.5mmol钼酸铵粉末和12～14mmol硫脲粉末溶解于去离子水中；步骤八中在-90℃～-80℃温度下预冻8h～12h。

2.根据权利要求1所述的一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法，其特征在于步骤二中所述氨水的体积分数为20％～35％。

3.根据权利要求1所述的一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法，其特征在于步骤二中溶液体积为反应器容量的70％-80％。

4.根据权利要求1所述的一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法，其特征在于步骤四中所述氨水的体积分数为20％～35％。

5.根据权利要求1所述的一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法，其特征在于步骤四中以1000～3000r/min的转速进行离心。

6.根据权利要求1所述的一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法，其特征在于步骤六中以1000～3000r/min的转速进行离心。

7.根据权利要求1所述的一种低温条件下水热合成二硫化钼纳米片的方法，其特征在于步骤八中在真空度6Pa～10Pa、温度-90℃～-76℃的环境中干燥20h～30h。