[发明专利]分离式栅极闪存元件的形成方法

摘要

本发明提出一种分离式栅极闪存元件及其形成方法，上述分离式栅极闪存元件包括具有源极区与漏极区的半导体基板。上述源极区与漏极区被通道区分隔。上述分离式栅极闪存元件亦包括上述半导体基板中的凹槽、衬于上述凹槽的浮栅介电层。上述分离式栅极闪存元件亦包括坐落于上述浮栅介电层上的凹槽中的浮栅，且上述浮栅具有凸状底表面。上述分离式栅极闪存元件亦包括位于上述浮栅上的栅极间介电层以及位于上述栅极间介电层上的控制栅极。

主权项

1.一种分离式栅极闪存元件，其特征在于，包括：一半导体基板，具有一源极区与一漏极区，其中该源极区与该漏极区被一通道区隔开；一凹槽，位于该半导体基板中；一浮栅介电层，衬于该凹槽；一浮栅，坐落于该浮栅介电层上的该凹槽中，其中该浮栅具有一凸状底表面；一栅极间介电层，位于该浮栅上；以及一控制栅极，位于该栅极间介电层上。