[发明专利]用于内线转移CCD的引线-遮光结构在审

专利信息
申请号: 201810062600.9 申请日: 2018-01-23
公开(公告)号: CN108565271A 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 姜华男;熊玲;龙雨霞;向鹏飞;李睿智 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 重庆乾乙律师事务所 50235 代理人: 侯懋琪
地址: 400060 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了一种用于内线转移CCD的引线‑遮光结构,包括多晶硅转移栅、回留层、遮光金属层、平坦化层和金属总线层;多晶硅转移栅形成在衬底上;回留层覆盖在多晶硅转移栅表面,回留层上设置有与多晶硅转移栅对应的接触孔,遮光金属层覆盖在回留层表面并将所述接触孔填充;平坦化层覆盖在遮光金属层表面,平坦化层上设置有连接孔;金属总线层层叠在平坦化层的上侧面上,金属总线层将连接孔填充,遮光金属层通过连接孔与金属总线层电连接。本发明的有益技术效果是:提出了一种用于内线转移CCD的引线‑遮光结构,该结构可以起到较好的遮光效果,同时,还能使遮光金属层起到电连接作用,改善器件的工作频率。
搜索关键词: 遮光金属层 金属总线 平坦化层 多晶硅 转移栅 遮光结构 连接孔 内线 电连接 接触孔 填充 覆盖 工作频率 技术效果 遮光效果 上侧面 衬底
【主权项】:
1.一种用于内线转移CCD的引线‑遮光结构,其特征在于:所述引线‑遮光结构包括多晶硅转移栅(1)、回留层(2)、遮光金属层(3)、平坦化层(4)和金属总线层(5);所述多晶硅转移栅(1)形成在衬底上;所述回留层(2)覆盖在多晶硅转移栅(1)表面,回留层(2)上设置有接触孔(3‑1),接触孔(3‑1)的位置与多晶硅转移栅(1)的上端面对应;所述遮光金属层(3)覆盖在回留层(2)表面并将所述接触孔(3‑1)填充;所述平坦化层(4)覆盖在遮光金属层(3)表面,平坦化层(4)上设置有连接孔;所述金属总线层(5)层叠在平坦化层(4)的上侧面上,金属总线层(5)将所述连接孔填充,遮光金属层(3)通过连接孔与金属总线层(5)电连接。
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