[发明专利]用于内线转移CCD的引线-遮光结构在审
申请号: | 201810062600.9 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN108565271A | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 姜华男;熊玲;龙雨霞;向鹏飞;李睿智 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 重庆乾乙律师事务所 50235 | 代理人: | 侯懋琪 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于内线转移CCD的引线‑遮光结构,包括多晶硅转移栅、回留层、遮光金属层、平坦化层和金属总线层;多晶硅转移栅形成在衬底上;回留层覆盖在多晶硅转移栅表面,回留层上设置有与多晶硅转移栅对应的接触孔,遮光金属层覆盖在回留层表面并将所述接触孔填充;平坦化层覆盖在遮光金属层表面,平坦化层上设置有连接孔;金属总线层层叠在平坦化层的上侧面上,金属总线层将连接孔填充,遮光金属层通过连接孔与金属总线层电连接。本发明的有益技术效果是:提出了一种用于内线转移CCD的引线‑遮光结构,该结构可以起到较好的遮光效果,同时,还能使遮光金属层起到电连接作用,改善器件的工作频率。 | ||
搜索关键词: | 遮光金属层 金属总线 平坦化层 多晶硅 转移栅 遮光结构 连接孔 内线 电连接 接触孔 填充 覆盖 工作频率 技术效果 遮光效果 上侧面 衬底 | ||
【主权项】:
1.一种用于内线转移CCD的引线‑遮光结构,其特征在于:所述引线‑遮光结构包括多晶硅转移栅(1)、回留层(2)、遮光金属层(3)、平坦化层(4)和金属总线层(5);所述多晶硅转移栅(1)形成在衬底上;所述回留层(2)覆盖在多晶硅转移栅(1)表面,回留层(2)上设置有接触孔(3‑1),接触孔(3‑1)的位置与多晶硅转移栅(1)的上端面对应;所述遮光金属层(3)覆盖在回留层(2)表面并将所述接触孔(3‑1)填充;所述平坦化层(4)覆盖在遮光金属层(3)表面,平坦化层(4)上设置有连接孔;所述金属总线层(5)层叠在平坦化层(4)的上侧面上,金属总线层(5)将所述连接孔填充,遮光金属层(3)通过连接孔与金属总线层(5)电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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