[发明专利]静态随机存取存储器及其写入辅助电路和写入操作方法有效

专利信息
申请号: 201810050448.2 申请日: 2018-01-18
公开(公告)号: CN109308925B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 藤原英弘;林志宇;萨希尔·普里特·辛格;潘显裕;陈炎辉;廖宏仁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/419 分类号: G11C11/419
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明描述了写入辅助电路和存储器装置的实施例。写入辅助电路可以包括控制电路和电压发生器。控制电路可以被配置为接收与用于存储器单元的存储器写入操作相关联的存储器地址信息。电压发生器可以被配置为向连接至存储器单元的一根或多根位线提供参考电压。电压发生器可以包括两个电容性元件,其中,在存储器写入操作期间,(i)电容性元件中的一个可以被配置为将参考电压连接至第一负电压,以及(ii)基于存储器地址信息,两个电容性元件可以被配置为将参考电压累积地连接至低于第一负电压的第二负电压。本发明的实施例还提供了用于存储器写入操作的方法。
搜索关键词: 静态 随机存取存储器 及其 写入 辅助 电路 操作方法
【主权项】:
1.一种写入辅助电路,包括:控制电路,配置为接收与用于一个或多个存储器单元的存储器写入操作相关联的存储器地址信息;以及电压发生器,配置为向连接至所述一个或多个存储器单元的一根或多根位线提供参考电压,其中,所述电压发生器包括:第一电容性元件;和第二电容性元件,其中,在所述存储器写入操作期间,其中,所述第一电容性元件被配置为将所述参考电压连接至第一负电压;并且其中,基于所述存储器地址信息,所述第一电容性元件和所述第二电容性元件被配置为将所述参考电压累积地连接至低于所述第一负电压的第二负电压。
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