[发明专利]一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 201810048854.5 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN108385072B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 宋伟杰;许君君;李佳;黄金华;杨晔;盛伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06;H01B5/14 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 刘诚午 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用,其制备包括:将清洗后的基底装入真空磁控溅射设备的真空腔室中,当腔室的真空度为1×10 |
||
搜索关键词: | 一种 具有 单层 结构 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种具有单层结构的透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括:将清洗后的基底装入真空磁控溅射设备的真空腔室中,当腔室的真空度为1×10‑4~7×10‑4Pa时,充入氩气,并控制总气压为0.16Pa,调整靶材的溅射功率为10~60W,之后开启样品挡板,采用磁控溅射法对基底的表面进行沉积,得到所述透明导电薄膜;所述透明导电薄膜由银和金属氧化物组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所,未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810048854.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:气体供应装置及方法
- 下一篇:ITO薄膜的制作方法
- 同类专利
- 专利分类