[发明专利]一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201810048854.5 申请日: 2018-01-18
公开(公告)号: CN108385072B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 宋伟杰;许君君;李佳;黄金华;杨晔;盛伟 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;H01B5/14
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 刘诚午
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用,其制备包括:将清洗后的基底装入真空磁控溅射设备的真空腔室中,当腔室的真空度为1×10‑4~7×10‑4Pa时,充入氩气,并控制总气压为0.16Pa,调整靶材的溅射功率为10~60W,之后开启样品挡板,采用直流磁控溅射法对基底的表面进行沉积,得到所述透明导电薄膜;所述透明导电薄膜由银和金属氧化物组成。本发明通过直接溅射由银和金属氧化物组成的合金靶材或者共溅射银和金属氧化物靶材,制备得到较低厚度下连续且稳定性较好的透明金属导电薄膜,以达到降低结构复杂度,减少材料用量的目的。
搜索关键词: 一种 具有 单层 结构 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种具有单层结构的透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括:将清洗后的基底装入真空磁控溅射设备的真空腔室中,当腔室的真空度为1×10‑4~7×10‑4Pa时,充入氩气,并控制总气压为0.16Pa,调整靶材的溅射功率为10~60W,之后开启样品挡板,采用磁控溅射法对基底的表面进行沉积,得到所述透明导电薄膜;所述透明导电薄膜由银和金属氧化物组成。
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