[发明专利]一种硅片处理方法以及太阳电池制作方法

摘要

本发明公开了一种硅片处理方法以及太阳能电池制作方法，本发明技术方案在第一流量的二氯乙烯环境中对待处理硅片进行设定时间的加热处理，可以消除待处理硅片的表面以及反应炉进行清洁处理，在第二流量的二氯乙烯气体以及设定流量的氧气构成的混合气体环境中对待处理芯片进行设定时间的氧化处理，可以降低所述待处理硅片内的氧环缺陷。可见，本发明技术方案可以有效去除所述待处理硅片的表面杂质以及所述待处理硅片内的氧环缺陷，大大提高硅片质量。

主权项

1.一种硅片处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：将待处理硅片放置于反应炉内；向所述反应炉内通入第一流量的二氯乙烯气体，通过所述反应炉对所述硅片进行加热处理；经过设定时间的加热处理后，向所述反应炉内通入第二流量的二氯乙烯气体以及设定流量的氧气，对所述待处理硅片进行氧化处理，以降低所述待处理硅片内的氧环缺陷；所述第二流量小于所述第一流量；经过设定时间的氧化处理后，在氮气环境中对所述待处理硅片进行退火处理。