[发明专利]一种面向不同领域应用的硅纳米线微结构调控方法在审

专利信息
申请号: 201810030931.4 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN110028038A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 秦玉香;姜芸青;赵黎明;闻棕择 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00
代理公司: 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 代理人: 王秀奎
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开一种面向不同领域应用的硅纳米线微结构调控方法,包括如下步骤:(1)使用进行硅片表面亲疏水改性,(2)进行湿法化学刻蚀硅纳米线,(3)硅纳米线表面亲疏水改性处理。本发明通过步骤(1)、(3)达到对硅片及多孔硅纳米线表面亲疏水性改变,实现可以简单快速调控硅纳米线微观结构进而满足不同实际应用需求。该方法具有设备简单、操作方便、可重复性好、成本低廉等优点,可以更好的实现工业化生产。
搜索关键词: 硅纳米线 领域应用 亲疏水 微结构 调控 湿法化学刻蚀 纳米线表面 改性处理 硅片表面 可重复性 亲疏水性 微观结构 应用需求 多孔硅 硅片 改性
【主权项】:
1.一种面向不同领域应用的硅纳米线微结构调控方法,其特征在于,按照下述步骤进行:步骤1,对硅片进行亲水或者疏水改性,使用疏水改性溶液以得到聚集型硅纳米线,或者使用亲水改性溶液得到垂直分散型硅纳米线步骤2,将步骤1经过改性的硅片进行湿法化学刻蚀,以形成硅纳米线;首先,将步骤1经过改性的硅片浸入硝酸银和氢氟酸的混合水溶液中,以使沉积银纳米颗粒,再浸入过氧化氢和氢氟酸的混合水溶液中,以进行刻蚀,形成硅纳米线步骤3,将经步骤2制备的硅纳米线置于硝酸中以去除剩余银颗粒并使用去离子水清洗以保持硅纳米线的聚集结构或垂直分散结构。
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