[发明专利]静电吸附基底的方法有效
| 申请号： | 201810029257.8 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108231655B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 蒙飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种静电吸附基底的方法，通过在基底背面形成一掺杂有导电粒子的膜层；以及，利用静电吸盘从基底背面吸附基底，由于静电吸盘对掺杂有导电粒子的膜层具有较大的静电吸附力，从而使静电吸盘对于基底具有更好的吸附效果，进而避免了因静电吸盘对基底静电吸附效果差而导致基底从静电吸盘上脱落的情况，避免了不必要的生产损失。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸附 基底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电吸附基底的方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底具有一正面和一与所述正面相对的背面，在所述基底的背面上形成有一掺杂有导电粒子的膜层；以及，利用一静电吸盘从所述基底的背面吸附所述基底，其中，所述静电吸盘中产生有电荷并吸引所述膜层中的导电粒子，以吸附固定所述基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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