[发明专利]静电吸附基底的方法

说明书

本发明提供了一种静电吸附基底的方法，通过在基底背面形成一掺杂有导电粒子的膜层；以及，利用静电吸盘从基底背面吸附基底，由于静电吸盘对掺杂有导电粒子的膜层具有较大的静电吸附力，从而使静电吸盘对于基底具有更好的吸附效果，进而避免了因静电吸盘对基底静电吸附效果差而导致基底从静电吸盘上脱落的情况，避免了不必要的生产损失。

技术领域

本发明涉及半导体制备领域，尤其涉及一种静电吸附基底的方法。

背景技术

在半导体制造过程中，各种机台通常需要通过静电吸盘来吸附基底。具体来讲，静电吸盘中具有多个正负电极对，通过将各个电极接通高压直流电源，使得静电吸盘与基底接触的面上产生极化电荷，极化电荷在静电吸盘表面上形成电场，使得与其接触的基底的背面上也相应的产生极化电荷，同时相应的自由电荷也受电场作用聚集至背面，在异性电荷产生的静电吸引力的作用下，使基底被牢牢地吸附固定在了静电吸盘上。

然而，在例如射频等领域中，需要选用电阻率较高的基底，例如电阻率大于等于750欧姆·厘米的基底，这种情况下，由于基底的电阻率高，相应的基底中的自由电荷浓度则较低，进而在半导体制造过程中，静电吸盘对所述基底中的静电吸引力较小，不足以吸附固定所述基底，进而可能会导致基底掉落，引起不必要的生产损失。

发明内容

为了解决上述静电吸盘对基底静电吸附效果不佳的问题，本发明提供了一种静电吸附基底的方法。

一种静电吸附基底的方法，包括：

提供一基底，所述基底具有一正面和一与所述正面相对的背面，在所述基底的背面上形成有一掺杂有导电粒子的膜层；以及，

利用一静电吸盘从所述基底的背面吸附所述基底，其中，所述静电吸盘中产生有电荷并吸引所述膜层中的导电粒子，以吸附固定所述基底。

可选的，所述基底的电阻率大于等于750Ω·cm。

可选的，所述膜层的电阻率小于等于20Ω·cm。

可选的，所述膜层为多晶硅层。

可选的，所述膜层的形成方法包括：

在所述基底的正面和背面上分别形成一掺杂有导电粒子的薄膜材料层；

去除位于所述基底的正面上的所述薄膜材料层，并保留位于所述基底的背面上的所述薄膜材料层，以构成所述膜层。

可选的，在形成所述薄膜材料层之前还包括：所述基底的正面上形成一刻蚀停止层；以及，在去除位于所述基底的正面上的所述薄膜材料层之后，去除所述刻蚀停止层。

可选的，所述刻蚀停止层包括二氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的一种或两种及以上的叠层。

可选的，在所述基底背面的所述膜层上还形成有一掩蔽层，所述掩蔽层覆盖所述膜层。

可选的，所述掩蔽层包括氧化硅层。

可选的，所述膜层的厚度介于300埃～2000埃之间。

可选的，所述膜层的形成方法包括化学气相沉积。

可选的，所述基底为硅基底。

本发明提供的一种静电吸附基底的方法，通过在所述基底背面形成掺杂有导电粒子的膜层，由于静电吸盘对所述掺杂有导电粒子的膜层具有较大的静电吸附力，进而提高了静电吸盘对所述基底的吸附效果，避免了因吸附力不足而容易导致基底脱落的情况，进而避免了不必要的生产损失。

附图说明

图1是本发明一实施例中静电吸附基底的方法的流程示意图；

图2是本发明一实施例中静电吸附基底的方法中所述膜层的形成方法的流程示意图；