[发明专利]改善射频开关特性的场效应晶体管结构在审
| 申请号： | 201810029240.2 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108198854A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 孙玉红;刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善射频开关性能的场效应晶体管结构，所述场效应晶体管结构包括：衬底，所述衬底中形成有器件区和体区；其中，所述器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区，所述沟道区上形成有栅极；所述体区与沟道区连接成一体，所述栅极与所述体区之间连接肖特基二极管，肖特基二极管的阴极接所述栅极，阳极连接所述体区，能够有效的提高场效应晶体管的线性度、隔离度及击穿电压，改善射频开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 体区 场效应晶体管结构 射频开关 沟道区 肖特基二极管 器件区 衬底 阴极 场效应晶体管 击穿电压 阳极连接 隔离度 漏极区 线性度 源极区 | ||
【主权项】：
1.一种改善射频开关特性的场效应晶体管结构，其特征在于，在场效应晶体管的栅极与体区之间连接肖特基二极管。
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