[发明专利]一种CZTSSe薄膜的制备方法及其在锂离子电池中的应用有效
| 申请号： | 201810029152.2 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN110029317B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 赖延清;张治安;王麒羽;汪齐;刘芳洋;洪波;张凯;李劼 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58;H01M4/58;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜锌锡的硫硒化物(CZTSSe)薄膜的制备方法及其在锂离子电池中的应用；利用磁控溅射的方法，通过Se处理的铜箔，在溅射腔体中创造了具备Se，S等离子体的气氛，反应溅射合成Cu‑Zn‑Sn‑S‑Se前驱体。所述薄膜置于保护性气氛中，高温退火后，即得到CZTSSe薄膜。该制备方法简单有效，保证了制备材料的均一性和稳定性，同时该种材料综合了金属硫‑硒化物的优势，具有高的能量密度和循环稳定性，有效地提升了电池的放电表现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cztsse 薄膜 制备 方法 及其 锂离子电池 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种CZTSSe薄膜的制备方法，其特征在于，以铜箔为基底，在含Se和H2S的气氛下，利用磁控溅射将Cu，Zn，Sn溅射到铜箔上，同步反应形成Cu‑Zn‑Sn‑S‑Se前驱体预制膜，再经退火处理，即得CZTSSe薄膜。
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