[发明专利]在存储器编程期间斜变抑制电压有效
| 申请号： | 201810022406.8 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107886988B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | S.拉瓦德;P.卡拉瓦德;N.米尔克;K.帕拉特;S.S.拉胡纳桑 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐红燕;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 抑制电压是被施加到邻近于使存储器单元在程序操作期间写入的程序字线的字线的电压。可以在程序脉冲期间斜升用于程序操作的抑制电压。作为施加导致初始升压通道电势由于泄露而急剧地减少的恒定的高抑制电压的替代，系统可以更低地开始使抑制电压并在程序脉冲期间斜升抑制电压。斜升可以是在程序脉冲期间的持续斜变或处于有限离散步骤。这样的抑制电压的斜变可以提供程序干扰和抑制干扰之间的更好的权衡。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 编程 期间 抑制 电压 | ||
【主权项】：
一种存储器设备，包括：一个或多个非易失性存储器单元阵列；以及对一个或多个非易失性存储器单元阵列执行读取和程序操作的电路，该电路用于：向所选字线施加程序电压（Vpgm）；以及向相邻未选字线施加第一电压并且在所选字线被偏置到Vpgm的同时连续地从第一电压斜升到第二电压。
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