[发明专利]在存储器编程期间斜变抑制电压

说明书

抑制电压是被施加到邻近于使存储器单元在程序操作期间写入的程序字线的字线的电压。可以在程序脉冲期间斜升用于程序操作的抑制电压。作为施加导致初始升压通道电势由于泄露而急剧地减少的恒定的高抑制电压的替代，系统可以更低地开始使抑制电压并在程序脉冲期间斜升抑制电压。斜升可以是在程序脉冲期间的持续斜变或处于有限离散步骤。这样的抑制电压的斜变可以提供程序干扰和抑制干扰之间的更好的权衡。

本案为分案申请。其母案的发明名称为“在存储器编程期间斜变抑制电压”，申请日为2015年3月27日，申请号为201580010729.X。

技术领域

本发明的实施例一般涉及存储器设备，并且更特别地涉及在存储器编程期间斜升抑制电压以改进程序干扰和抑制干扰之间的权衡。

版权通知/许可

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背景技术

计算设备依赖于储存设备以存储在计算设备中使用的代码和数据。固态存储器设备提供了不具有在常规旋转磁盘储存设备中使用的机械部分的非易失性储存。常见的固态储存技术是闪速存储器，并且更具体地，基于NAND的闪速存储器是尤其常见的。通过在被编程的字线上施加高电压来对诸如闪速存储器的固态存储器进行写入或编程。被编程的单元位于被编程的字线和被选择的位线的交叉点处。被抑制的单元位于被编程的字线和未被选择的位线的交叉点处。将需要被编程的单元保持在零通道电势处（通过将电压从被选择的位线传递至它们的通道），并通过对不需要被编程的单元的通道升压（将它们与未被选择的位线隔离并允许通道电容性地耦合到抑制电压）来抑制不需要被编程的单元。在两个或若干邻近字线上施加抑制电压到被编程的字线。被抑制的通道的升压电压可以被称为升压通道电势，并且通常高于在其处可以从存储器设备读取数据的正常操作电压水平。通过来自抑制电压的电容性耦合以及通道中的升压泄漏来确定被抑制的通道的升压通道电势。

存储器设备易受两个不同种类的程序错误影响，两个不同种类的程序错误通常被称为“干扰”，或者无意编程或改变不是写入操作的意图目标的其它存储器单元。存储器单元可以被称为牺牲品单元（victim cell）。两个种类的无意编程可以被识别为程序干扰（PD）和抑制干扰（ID）。PD发生于属于被编程的字线和未被选择的位线的单元上。ID发生于属于被抑制的字线（在抑制电压下的字线）和被选择的位线的单元上。当升压通道电势在被抑制的通道中不够（低）时PD发生，这引起无意编程。通常，系统增加抑制字线上的抑制电压以改进未被选择的位线上的升压通道电势，这最终减少PD。

在ID方面，也在被选择的位线上的抑制字线上的单元可能在程序操作期间、尤其是在高抑制电压的情况下被无意地写入。因此，增加抑制电压可以减少PD，但是增加抑制电压趋向于增加ID。因此将理解的是，存在提供足够高的抑制电压以将PD维持在期望比率与不增加抑制电压以将ID维持在期望比率之间的权衡。

附图说明

以下描述包括具有通过本发明的实施例的实现方式的示例的方式给出的图解的附图的讨论。应通过示例的方式而不是通过限制的方式来理解附图。如本文中使用的，对一个或多个“实施例”的参考要被理解为描述在本发明的至少一个实现方式中包括的特定的特征、结构、和/或特性。因此，在本文中出现的诸如“在一个实施例中”或“在替换实施例中”的短语描述本发明的各种实施例和实现方式，并且不必然地全部指的是相同的实施例。然而，它们也不必然是互相排斥的。

图1是其中在程序操作窗口期间增加抑制电压的具有存储器设备的系统的实施例的框图。

图2是在程序操作期间斜升抑制电压的系统中的电压波形的实施例的图表表示。