[发明专利]一种聚3,4-乙烯二氧噻吩包覆氧化钨纳米棒、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201810020970.6 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108281553B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 冯莱;刘萍;周东营;王琛 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215104 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种聚3,4‑乙烯二氧噻吩包覆氧化钨纳米棒、制备方法及其应用，将水热反应制得的氧化钨纳米线分散在溶剂中，加入EDOT反应得蓝色溶液，再经沉降去除PEDOT和氧化钨纳米线后干燥即可。工艺步骤简单且条件温和，能够获得均匀且呈中性的聚3,4‑乙烯二氧噻吩包覆的氧化钨纳米棒；该氧化钨纳米棒具有更高的费米能级或功函，能有效降低PSS对阳极衬底的腐蚀，从而提高钙钛矿太阳能电池的效率及寿命；而且它的能级与钙钛矿材料的能级更接近，能够用作钙钛矿太阳能电池的空穴传输层，有效地提取、传输光生空穴，进而提高钙钛矿太阳能电池的能量转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 乙烯 二氧 噻吩 氧化钨 纳米 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种聚3,4‑乙烯二氧噻吩包覆氧化钨纳米棒的制备方法，其特征在于：将水热反应制得的氧化钨纳米线分散在溶剂中，加入EDOT反应得蓝色溶液，再经沉降去除PEDOT和氧化钨纳米线后干燥即可。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810020970.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
