[发明专利]制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法有效
| 申请号： | 201810014816.8 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN108376711B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 包文中;昝武;许浒;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于二维半导体晶体管技术领域，具体为一种制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法。本发明方法包括制备一系列堆叠结构，所述堆叠结构自下向上依次是衬底、二维半导体材料、充当源极和漏极的金属电极材料、旋涂形成的电解质介质薄膜、充当栅极的金属电极材料。所述电解质与传统介质材料相比具有更大的比电容，且所述栅极为顶栅的拓扑结构。因此，本发明方法可以解决二维半导体场效应晶体管在低工作电压、低功耗、高速电路和柔性电路上的应用问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 具有 结构 聚合物 电解质 介质 二维 半导体 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法，涉及制备一系列堆叠结构，所述堆叠结构自下向上依次是衬底、二维半导体材料、充当源极和漏极的金属电极材料、旋涂形成的聚合物电解质介质层、充当栅极的金属电极材料；其中，源极和漏极的金属电极材料与介质层之间有一层氧化铝保护膜；具体步骤如下：（1）在衬底上制备二维半导体材料层；（2）在二维半导体材料层上制备金属电极材料，作为源极和漏极；（3）在所述源极和漏极上制备一层氧化铝，作为保护层；（4）在经上述步骤处理的结构上旋涂聚合物电解质，以形成厚度均匀的聚合物电解质介质层薄膜；（5）在所形成的电解质薄膜上，制作晶体管的栅电极，该栅电极为顶栅的拓扑结构。
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