[发明专利]一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法

摘要

本发明公开了一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法，属于稀土永磁材料技术领域，包括熔炼、制粉、成型、烧结时效、涂覆、氢气还原、二次成型、烧结等步骤，本方法处理过的钕铁硼磁体，剩磁和磁能积变化不大，矫顽力大幅提高；相比通过磁体中的Nd直接置换磁体表面涂覆的Dy或者Tb化合物中的Dy或者Tb，本方法的一个显著优点在于通过氢气还原Dy或Tb的氧化物或者氟化物，同时破碎烧坯使Dy或Tb更好的进入晶粒境界，大大提高了渗Dy、渗Tb的速度，渗层厚度大幅增加，同时，本发明操作过程简单，用氢气还原可操作性强，大大降低了生产成本。

主权项

1.一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)烧坯合金在真空或氩气气氛中熔化成熔体，将熔体在1300～1600℃浇注到急冷辊上形成鳞片，急冷辊转速为20～60r/min；2)步骤1)形成的鳞片经过HD制粉，气流磨，制成粒度为2～10μm的粉末；3)步骤2)制得的粉末在15KOe的磁场中取向成型，制成生坯，将生坯放入Ar气氛下的烧结炉中，在900～1300℃下烧结1～100h；4)将步骤3)烧结后的生坯在450～650℃温度下时效2～50h，得到烧坯，依次用碱溶液、去离子水洗涤烧坯表面，干燥；5)用Dy或Tb的氧化物或氟化物与乙醇混合，按照1:20～1:50重量比例混合，配成浆液，均匀涂覆在步骤4)干燥后的烧坯表面，烘干，得到Dy或Tb的氧化物或氟化物的涂层，涂层厚度为5μm～2mm；6)将步骤5)得到的烧坯放入氢气还原炉中，控制氢气流量为70～80ml/min，反应3～10h，使Dy或Tb被还原出来；7)在真空800～1100℃下恒温1～20h或在Ar保护气氛下恒压10～100Pa，步骤6)处理后烧坯发生渗Dy或渗Tb反应；8)将步骤7)所得的破碎的烧坯进行球磨0.5～2h，将磨好后的粉体重新在15KOe磁场中取向成型，制成二次坯；9)在Ar气氛下的烧结炉中，将步骤8)所得的二次坯在400～600℃下烧结1～50h，后；冷却至室温即得所需磁体。