[发明专利]一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法在审
申请号: | 201810010384.3 | 申请日: | 2018-01-05 |
公开(公告)号: | CN108269684A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 贺琦军;林建强 | 申请(专利权)人: | 宁波招宝磁业有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057;C23C10/30 |
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地址: | 315200 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钕铁硼磁体 氢气还原 制备高性能 涂覆 还原 稀土永磁材料 晶粒 操作过程 磁体表面 二次成型 烧结时效 烧结 熔炼 磁能积 氟化物 矫顽力 氧化物 烧坯 渗层 制粉 生产成本 成型 破碎 置换 | ||
本发明公开了一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法,属于稀土永磁材料技术领域,包括熔炼、制粉、成型、烧结时效、涂覆、氢气还原、二次成型、烧结等步骤,本方法处理过的钕铁硼磁体,剩磁和磁能积变化不大,矫顽力大幅提高;相比通过磁体中的Nd直接置换磁体表面涂覆的Dy或者Tb化合物中的Dy或者Tb,本方法的一个显著优点在于通过氢气还原Dy或Tb的氧化物或者氟化物,同时破碎烧坯使Dy或Tb更好的进入晶粒境界,大大提高了渗Dy、渗Tb的速度,渗层厚度大幅增加,同时,本发明操作过程简单,用氢气还原可操作性强,大大降低了生产成本。
技术领域
本发明涉及稀土永磁材料技术领域,更具体地说,它涉及一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法。
背景技术
近年来,钕铁硼磁体行业飞速发展,已经代替磁钢和铁磁体被广泛应用于电子、机械等领域。由于具有高强度,小体积、轻质量、高磁性,钕铁硼磁体在硬盘、核磁共振(MRI)、电机、电动车和风力发电机等产品中发挥着重要作用。Dy和Tb是钕铁硼永磁体中常用的添加剂,能与主相Nd 2 Fe 14 B晶粒边缘中的Nd发生部分置换,从而改善晶界结构,显著地提高磁体的矫顽力。
镝或铽的添加方式有多种,对磁体性能的影响也不同。由于铽的价格非常昂贵,所以生产中一般首先考虑添加镝元素。一种方法是直接化合法,即在熔炼过程中直接加入Dy。由于Dy只有在晶界处与Nd2F14B发生置换形成Dy2Fe14B才会对磁体的磁性能有提高,而熔炼过程中Dy2Fe14B同时也在晶粒内形成,从而导致对磁性能有贡献的镝比例偏小;同时,晶粒内形成的Dy2Fe14B的饱和磁化强度远低于Nd2F14B的磁化强度,所以会导致剩磁Br较显著地降低。另一种方法是双合金法,即将Nd-Fe-B粉末与富镝,氧化镝,或者氟化镝的合金粉末混合后压型热处理成型。这种方法制得的磁体中,镝,氧化镝,或者氟化镝主要分布在晶界,矫顽力得到提高的同时不影响晶粒内部结构,Br变化不大,但是镝的用量很大,从经济角度考虑造成生产成本过高。
渗Dy或渗Tb工艺由于能大大降低镝或铽的用量而被广泛认可。信越和日立公司都相继公布了渗Dy、渗Tb的若干方法,大多为在毛坯表面涂覆一层由Dy或Tb的氧化物,氟化物和水、有机物组成的浆料,在高温下使主相晶粒边缘中的Nd与镝或者铽的氧化物或者氟化物发生置换,改善晶界结构,提高矫顽力。此方法需要解决的一个问题是,主相晶粒边缘的Nd与Dy或者Tb的氧化物或者氟化物直接发生置换,置换速度很慢,从而使渗Dy、渗Tb效率很低,生产时间长。
发明内容
本发明的目的是提供一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法,此法克服了用Dy或Tb氧化物或氟化物浆料涂覆法渗Dy或者渗Tb速度低的问题,操作简单,成本低,同时大幅提高了磁体的性能。
为实现上述目的,通过以下技术手段实现:
一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法,包括如下步骤:
1)烧坯合金在真空或氩气气氛中熔化成熔体,将熔体在1300~1600℃浇注到急冷辊上形成鳞片,急冷辊转速为20~60r/min;
2)步骤1)形成的鳞片经过HD制粉,气流磨,制成粒度为2~10μm的粉末;
3)步骤2)制得的粉末在15KOe的磁场中取向成型,制成生坯,将生坯放入Ar气氛下的烧结炉中,在900~1300℃下烧结1~100h;
4)将步骤3)烧结后的生坯在450~650℃温度下时效2~50h,得到烧坯,依次用碱溶液、去离子水洗涤烧坯表面,干燥;
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