[发明专利]具有串联槽栅结构的多叠层功率器件在审
| 申请号： | 201810010047.4 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108231902A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李琦;张昭阳;李海鸥;陈永和;张法碧;傅涛;袁雷雷 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 石燕妮 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够提高器件耐压，降低比导通电阻的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件；该结构的栅极采用了槽型结构，槽栅一直延伸到埋氧层，与p阱形成了纵向导电沟道，同时，槽栅与漂移区形成了纵向电子积累层，使电流传导区域在纵向得到显著扩展，降低了器件比导通电阻；漂移区包含多个与纵栅相连接P型的埋层，器件上部采用表面多晶硅氧化层结构，形成级联栅多个器件并联结构；采用该具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,有效提高了器件的击穿电压和降低比导通电阻,使得电场分布更加均匀，形成多个级联导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 比导通电阻 功率器件 串联槽 多叠层 栅结构 漂移区 槽栅 级联 多晶硅氧化层 并联结构 槽型结构 导电沟道 导通电流 电场分布 电流传导 电子积累 多个器件 击穿电压 埋氧层 埋层 耐压 纵栅 延伸 | ||
【主权项】：
1.具有串联槽栅结构的多叠层功率器件，包括由上至下依次设置的漂移区(3)、埋层(2)、衬底(1)；所述漂移区(3)上设置有N+漏区(4)、漏电极(5)、栅电极(6)、源电极(7)、N+接触区(8)以及P+源区(9)；其特征在于：所述漂移区(3)一侧的外表面上设置有纵栅；所述纵栅为多晶硅(11)和纵氧化层(12)形成的纵向的槽栅；所述槽栅延伸到埋层(2)；所述漂移区(3)内设置有p阱(10)；所述槽栅与p阱(10)形成了纵向导电沟道；所述漂移区(3)内设置有与纵栅相连接的横向的P型的埋层，所述P型的埋层至少具有两个；且P型的埋层与纵栅形成并联器件结构。
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