[发明专利]一种掩模板及其制备方法在审
| 申请号： | 201810004139.1 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN108232041A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘文祺;孙中元;朱海彬;薛金祥 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种掩模板及其制备方法，该掩模板包括本体，本体上设有多个开口，本体的第一表面上设有环绕各个开口的围堰，围堰限制通过开口沉积在基板上的材料的扩散范围。本发明通过在掩模板本体的一侧表面的每个开口四周边缘位置设置的围堰，实现了在采用化学气相沉积(CVD)进行镀膜或蒸镀过程中，围堰可以有效的阻挡沉积材料沉积到无效区域，减小了CVD阴影，改善了封装效果。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模板 围堰 开口 制备 沉积材料沉积 化学气相沉积 第一表面 四周边缘 无效区域 沉积 镀膜 基板 减小 蒸镀 封装 环绕 阻挡 扩散 阴影 | ||
【主权项】：
1.一种掩模板，包括本体，所述本体上设有多个开口，其特征在于，所述本体的第一表面上设有环绕各个开口的围堰，所述围堰限制通过所述开口沉积在基板上的材料的扩散范围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810004139.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
