[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780096754.3 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN111357158B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 尾上和之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及的半导体装置具有：衬底；有源层，其设置于衬底之上；包层，其设置于有源层之上；接触层，其设置于包层之上，该接触层具有上表面、与上表面相反侧的面即背面、以及将上表面与背面相连的侧面，该接触层与包层相比宽度宽；以及电极，其与接触层的上表面、接触层的侧面的上端至下端接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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