[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器、内置型存储器及制作隧道磁阻效应元件的方法有效
| 申请号： | 201780095962.1 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111226324B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TMR元件，该TMR元件(1)具备磁隧道接合元件部(2)和设置于磁隧道接合元件部的侧面且含有绝缘材料的侧壁部(17)，磁隧道接合元件部具有：参照层(3)、磁化自由层(7)、在层叠方向上层叠于参照层和磁化自由层之间的隧道势垒层(5)、以及层叠于磁化自由层的与隧道势垒层侧相反侧的盖层(9)，侧壁部含有绝缘材料，具有覆盖磁隧道接合元件部的参照层、隧道势垒层、磁化自由层、及盖层中的至少一个侧面的第一区域(R1)，第一区域含有构成磁隧道接合元件部的参照层，隧道势垒层，磁化自由层，及盖层中的至少一个层的元素(除氧以外)中的至少一种作为含有元素。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁阻 效应 元件 磁存储器 内置 存储器 制作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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