[发明专利]纳米线晶体管的源电极和漏电极保护在审
| 申请号： | 201780095203.5 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111108605A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | K·贾姆布纳坦;B·古哈;A·S·默西;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/06;H01L29/41;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张亚峰 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文的实施例描述了用于半导体器件的技术、系统和方法。纳米线晶体管可以包括：在衬底上方包括纳米线的沟道区、通过第一蚀刻停止层耦合到纳米线的第一端的源电极、以及通过第二蚀刻停止层耦合到纳米线的第二端的漏电极。栅电极可以在衬底上方，以控制沟道区的至少一部分中的导电性。第一间隔物可以在衬底上方在栅电极和源电极之间，并且第二间隔物可以在衬底上方在栅电极和漏电极之间。栅极介电层可以在沟道区和栅电极之间。可以描述和/或要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体管 电极 漏电 保护 | ||
【主权项】：
暂无信息
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