[发明专利]电抗器磁芯及其电抗器有效
| 申请号： | 201780090999.5 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN110770860B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 黄智;褚江;端悦涛;姜桂林 | 申请（专利权）人： | 墨尚电子技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/24 | 分类号： | H01F27/24 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶;封喜彦 |
| 地址： | 201101 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电抗器磁芯及其电抗器，该电抗器磁芯包括中柱(1)、上轭铁(2)、下轭铁(3)及至少两个高导磁边柱(4)；所述中柱(1)设置在所述上轭铁(2)的中间区域、下轭铁(3)的中间区域之间，所述中柱(1)外用以绕制线圈(5)，且所述中柱(1)的饱和磁通密度大于所述上轭铁(2)、下轭铁(3)的饱和磁通密度；所述至少两个高导磁边柱(4)间隔设置在所述上轭铁(2)、下轭铁(3)之间，且每个高导磁边柱(4)的两端分别与所述上轭铁(2)的外沿、下轭铁(3)的外沿连接。该电抗器磁芯及其电抗器，提升了轭铁利用率，结构紧凑，同时制造简单。 | ||
| 搜索关键词： | 电抗 器磁芯 及其 | ||
【主权项】：
一种电抗器磁芯，其特征在于，包括中柱、上轭铁、下轭铁及至少两个高导磁边柱；所述中柱设置在所述上轭铁的中间区域、下轭铁的中间区域之间，所述中柱外用以绕制线圈，且所述中柱的饱和磁通密度大于所述上轭铁、下轭铁的饱和磁通密度；所述至少两个高导磁边柱间隔设置在所述上轭铁、下轭铁之间，且每个高导磁边柱的两端分别与所述上轭铁的外沿、下轭铁的外沿连接。/n
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