[发明专利]电抗器磁芯及其电抗器

权利要求书

1.一种电抗器磁芯，其特征在于，包括中柱、上轭铁、下轭铁及至少两个高导磁边柱；所述中柱设置在所述上轭铁的中间区域、下轭铁的中间区域之间，并且所述中柱的两端分别插入至所述上轭铁、下轭铁中，所述中柱外用以绕制线圈，且所述中柱的饱和磁通密度大于所述上轭铁、下轭铁的饱和磁通密度；所述至少两个高导磁边柱间隔设置在所述上轭铁、下轭铁之间，且每个高导磁边柱的两端分别与所述上轭铁的外沿、下轭铁的外沿连接；

所述中柱的两端各自的插入深度比例d/D为大于等于(B1-B2)/B1，其中，d为中柱端部的插入深度，D为上轭铁、下轭铁的厚度，B1为中柱的饱和磁通密度，B2为上轭铁、下轭铁的饱和磁通密度；

所述高导磁边柱的导磁率不小于200。

2.如权利要求1所述的电抗器磁芯，其特征在于，所述中柱的两端分别穿透所述上轭铁、下轭铁。

3.如权利要求1所述的电抗器磁芯，其特征在于，高导磁边柱的材料为铁氧体或非晶材料。

4.如权利要求1所述的电抗器磁芯，其特征在于，各高导磁边柱在全部中柱的周围呈对称分布。

5.如权利要求1所述的电抗器磁芯，其特征在于，所述中柱的材质为金属粉芯，所述上轭铁、下轭铁的材质为铁氧体。

6.如权利要求5所述的电抗器磁芯，其特征在于，所述金属粉芯为铁硅铝或铁硅材料。

7.如权利要求1所述的电抗器磁芯，其特征在于，所述中柱为一个或两个以上，各中柱间隔设置在所述上轭铁的中间区域、下轭铁的中间区域之间。

8.如权利要求1所述的电抗器磁芯，其特征在于，所述中柱上设置有气隙。

9.一种电抗器，其特征在于，包括线圈及如权利要求1-8中任意一项所述的电抗器磁芯，所述线圈绕制在中柱外。

10.如权利要求9所述的电抗器，其特征在于，所述线圈的上下两端设置有绝缘端圈，以隔离线圈与所述中柱及线圈与所述上轭铁、下轭铁。

11.如权利要求9所述的电抗器，其特征在于，还包括一外壳，设置在所述电抗器磁芯的外侧。

12.如权利要求11所述的电抗器，其特征在于，所述外壳内灌有胶体，以使电抗器各部分连成一体。