[发明专利]衬底处理装置、反应管、半导体器件的制造方法及程序在审
| 申请号： | 201780082079.9 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110121764A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 西堂周平;佐佐木隆史;吉田秀成;冈嶋优作 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/455;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;刘伟志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种使反应管内的处理气体的速度分布在晶片之间均匀的技术。装置具备：衬底保持件，其保持多张衬底；筒部，其设置在反应管内部，具有收纳衬底保持件并对衬底进行处理的处理室；喷管配置室，其划分反应管与筒部之间的间隙而设置；气体喷管，其配置在喷管配置室内，向处理室内供给处理气体；气体供给口，其以供喷管配置室和处理室连通的方式形成于筒部；气体排气口，其以使间隙和处理室连通的方式形成于筒部，将处理室内的环境气体排出到间隙；和排气部，其与反应管连接，对间隙内的环境气体进行排气。 | ||
| 搜索关键词： | 反应管 筒部 喷管 衬底保持件 处理气体 环境气体 配置 室内 衬底 连通 衬底处理装置 半导体器件 气体供给口 气体排气口 收纳 程序公开 气体喷管 速度分布 排气部 晶片 排出 排气 制造 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：衬底保持件，其保持多张衬底；筒部，其设置在反应管内部，具有收纳所述衬底保持件并对所述衬底进行处理的处理室；气体供给部，其与所述筒部接近地沿着其延伸方向配置，向所述处理室内供给处理气体；气体供给口，其以供所述气体供给部和所述处理室连通的方式形成；气体排气口，其以使所述反应管与所述筒部之间的间隙和所述处理室连通的方式形成于所述筒部，将所述处理室内的环境气体排出到所述间隙；和排气部，其与所述反应管连接，对所述间隙内的环境气体进行排气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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