[发明专利]采用定位掺杂的非易失性存储结构有效
| 申请号： | 201780080884.8 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110114894B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 吕志超;盖理·贝拉·布朗纳 | 申请（专利权）人： | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;G11C13/00;H10B63/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 公开一种阻变随机存取存储器(RRAM)。该RRAM包括由钨构成的底电极；以及设于所述底电极上方的由氧化铪构成的一转换层，所述转换层包括细丝结构以及含掺杂材料的一个或多个横向区域，其中，所述一个或多个横向区域位于所述转换层的顶部区域和底部区域之间。该RRAM还包括设于所述转换层上方的顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 定位 掺杂 非易失性 存储 结构 | ||
【主权项】：
1.一种阻变随机存取存储器(RRAM)，其特征在于，包括：由钨构成的一底电极；设于所述底电极上方的由氧化铪构成的一转换层，所述转换层包括细丝结构以及含掺杂材料的一个或多个横向区域，其中，所述一个或多个横向区域位于所述转换层的顶部区域和底部区域之间；以及一顶电极，设于所述转换层上方。
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