[发明专利]用于半导体处理的锥形晶片居中和保持装置在审
| 申请号： | 201780079265.7 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN110114866A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 普尔凯特·阿加瓦尔;伊时塔克·卡里姆;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊;金宋杰;帕特里克·布莱琳 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体系统包括室、设置在所述室中的基座和围绕基座的聚焦环。所述基座具有用于支撑衬底(例如晶片)的中心区域的中央区域。所述聚焦环被构造成围绕所述基座的所述中央区域。所述聚焦环具有环形支撑区域，该环形支撑区域在所述聚焦环的内部部分和所述聚焦环的外部部分之间延伸。以相对于水平线成角度设置的所述环形支撑区域在所述衬底存在于所述基座的所述中央区域和所述聚焦环的所述环形支撑区域上方时，为所述衬底提供刀刃式接触。衬底的边缘和聚焦环的环形支撑区域之间的刀刃式接触使得能够化学品不能进入衬底背面，从而减少不希望有的背面沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦环 环形支撑区域 中央区域 衬底 晶片 刀刃 半导体处理 半导体系统 成角度设置 保持装置 衬底背面 衬底提供 中心区域 化学品 沉积 背面 中和 外部 延伸 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种半导体系统，其包括：室；设置在所述室中的基座，所述基座具有用于支撑衬底的中心区域的中央区域；和聚焦环，其构造成围绕所述基座的所述中央区域，所述聚焦环具有环形支撑区域，该环形支撑区域在所述聚焦环的内部部分和所述聚焦环的外部部分之间延伸，所述环形支撑区域以相对于水平线成角度设置，并且所述环形支撑区域在所述衬底存在于所述中央区域和所述环形支撑区域上方时，为所述衬底提供刀刃式接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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