[发明专利]磁阻设备及其方法有效
| 申请号： | 201780075606.3 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110050355B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | S·阿加瓦尔;S·A·德施潘得;J·斯劳特 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10B61/00;H10N59/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开针对制造磁阻设备的示例性方法。在一个方面，一种方法可以包括在基板(90)上形成磁阻堆叠(100)的一个或多个区域(10,20,30……)，其中基板包括至少一个电子设备。该方法还可以包括对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退火工艺，其中该唯一退火工艺在第一最低温度下执行。在执行唯一退火工艺之后，该方法可以包括对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻。而且，在构图或蚀刻磁阻堆叠的所述一部分的步骤之后，该方法可以包括在低于第一最低温度的第二温度下对基板执行所有附加处理。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 设备 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁阻设备的方法，包括：在基板上形成磁阻堆叠的一个或多个区域，其中基板包括至少一个电子设备；对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退火工艺，其中该唯一退火工艺在第一最低温度下执行；在执行唯一退火工艺之后，对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻；以及在对磁阻堆叠的所述部分进行构图或蚀刻的步骤之后，在低于第一最低温度的第二温度下对基板执行所有附加处理。
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